Study Of Cubic GaN On Porous GaAs Substrate For High Efficient Energy Devices.
Projek ini bermula dengan pembikinan struktur GaAs (100) berliang menggunakan larutan punaran H2S04: DMF dengan nisbah optimum 1 :3. Liang yang berbentuk bulat dengan keseragaman tinggi telah diperolehi berbanding dengan larutan punaran lain. Sam pel GaAs berliang tersebut sepatutnya digunakan untuk...
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Monograph |
| Published: |
Universiti Sains Malaysia
2016
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://eprints.usm.my/32554/ |