Fabrikasi dan pencirian teknologi 0.13 um nMOS
Objektif projek ini adalah melakukan rekabentuk dan simulasi sebuah transistor nMOS dengan saiz salur 0.13 11m. Dengan melaksanakan peraturan penskalaan, transistor nMOS 0.13 11m direkabentuk daripada resipi transistor CMOS 0.18 11m yang telah direkabentuk dan disimulasikan sebelum ini dengan...
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Thesis |
| Language: | English |
| Published: |
2003
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://eprints.uthm.edu.my/7600/ http://eprints.uthm.edu.my/7600/1/24p%20AFANDI%20AHMAD.pdf |
| _version_ | 1848889151033704448 |
|---|---|
| author | Ahmad, Afandi |
| author_facet | Ahmad, Afandi |
| author_sort | Ahmad, Afandi |
| building | UTHM Institutional Repository |
| collection | Online Access |
| description | Objektif projek ini adalah melakukan rekabentuk dan simulasi sebuah transistor nMOS
dengan saiz salur 0.13 11m. Dengan melaksanakan peraturan penskalaan, transistor
nMOS 0.13 11m direkabentuk daripada resipi transistor CMOS 0.18 11m yang telah
direkabentuk dan disimulasikan sebelum ini dengan menggunakan kaedah yang sarna.
Perubahan dilakukan kepada beberapa parameter penting seperti saiz salur, ketebalan
oksida get, implantasi ion bagi modifikasi voltan ambang bagi mencapai matlamat projek
ini. Fabrikasi dan simulasi dilakukan menggunakan perisian Virtual Wafer Fabrication
(VWF) keluaran Silvaco Inc. TCAD Tools. Terdapat dua alat bantu utama yang
digunakan iaitu ATHENA dan ATLAS. ATHENA berfungsi untuk melakukan simulasi
kepada proses fabrikasi peranti dan ATLAS adalah untuk simulasi pencirian elektrikal.
Keputusan simulasi diberikan dalam paparan dua dimensi di dalam penyunting
TONYPLOT. Daripada kajian yang dijalankan, nilai voltan ambang (VTH) untuk
transistor nMOS iaitu 0.23503 V, kedalaman simpang (Aj) dengan nilai 0.198707 11m;
dan nilai rintangan helaian polisilikon ialah 8.63937 ohmlsegi. Sebagai kesimpulannya,
objektif projek telah berjaya dicapai. Penggunaan ATLAS dan ATHENA serta pemilihan
faktor penskalaan (S) = 1.38 adalah relevan. |
| first_indexed | 2025-11-15T20:21:37Z |
| format | Thesis |
| id | uthm-7600 |
| institution | Universiti Tun Hussein Onn Malaysia |
| institution_category | Local University |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-15T20:21:37Z |
| publishDate | 2003 |
| recordtype | eprints |
| repository_type | Digital Repository |
| spelling | uthm-76002022-08-29T07:36:27Z http://eprints.uthm.edu.my/7600/ Fabrikasi dan pencirian teknologi 0.13 um nMOS Ahmad, Afandi TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering TK7800-8360 Electronics Objektif projek ini adalah melakukan rekabentuk dan simulasi sebuah transistor nMOS dengan saiz salur 0.13 11m. Dengan melaksanakan peraturan penskalaan, transistor nMOS 0.13 11m direkabentuk daripada resipi transistor CMOS 0.18 11m yang telah direkabentuk dan disimulasikan sebelum ini dengan menggunakan kaedah yang sarna. Perubahan dilakukan kepada beberapa parameter penting seperti saiz salur, ketebalan oksida get, implantasi ion bagi modifikasi voltan ambang bagi mencapai matlamat projek ini. Fabrikasi dan simulasi dilakukan menggunakan perisian Virtual Wafer Fabrication (VWF) keluaran Silvaco Inc. TCAD Tools. Terdapat dua alat bantu utama yang digunakan iaitu ATHENA dan ATLAS. ATHENA berfungsi untuk melakukan simulasi kepada proses fabrikasi peranti dan ATLAS adalah untuk simulasi pencirian elektrikal. Keputusan simulasi diberikan dalam paparan dua dimensi di dalam penyunting TONYPLOT. Daripada kajian yang dijalankan, nilai voltan ambang (VTH) untuk transistor nMOS iaitu 0.23503 V, kedalaman simpang (Aj) dengan nilai 0.198707 11m; dan nilai rintangan helaian polisilikon ialah 8.63937 ohmlsegi. Sebagai kesimpulannya, objektif projek telah berjaya dicapai. Penggunaan ATLAS dan ATHENA serta pemilihan faktor penskalaan (S) = 1.38 adalah relevan. 2003-11 Thesis NonPeerReviewed text en http://eprints.uthm.edu.my/7600/1/24p%20AFANDI%20AHMAD.pdf Ahmad, Afandi (2003) Fabrikasi dan pencirian teknologi 0.13 um nMOS. Masters thesis, Universiti Kebangsaan Malaysia. |
| spellingShingle | TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering TK7800-8360 Electronics Ahmad, Afandi Fabrikasi dan pencirian teknologi 0.13 um nMOS |
| title | Fabrikasi dan pencirian teknologi 0.13 um nMOS |
| title_full | Fabrikasi dan pencirian teknologi 0.13 um nMOS |
| title_fullStr | Fabrikasi dan pencirian teknologi 0.13 um nMOS |
| title_full_unstemmed | Fabrikasi dan pencirian teknologi 0.13 um nMOS |
| title_short | Fabrikasi dan pencirian teknologi 0.13 um nMOS |
| title_sort | fabrikasi dan pencirian teknologi 0.13 um nmos |
| topic | TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering TK7800-8360 Electronics |
| url | http://eprints.uthm.edu.my/7600/ http://eprints.uthm.edu.my/7600/1/24p%20AFANDI%20AHMAD.pdf |