Kesan Peningkatan Suhu Terhadap Pembentukan Titanium Silisida - Balakrishnan, Prakash Babu (Universiti Sains Malaysia, 2005)
Penyelidikan ini bertujuan untuk mengkaji kesan suhu ke atas lapisan titanium silisida (TiSi2) yang ditumbuhkan ke atas wafer silikon. Penyelidikan ini dijalankan untuk meneliti kesan peningkatan suhu terhadap pembentukan titanium silisida. Penyelidikan ini bertujuan untuk membuat perbandingan terhadap kesan peningkatan suhu terhadap ketebalan lapisan titanium silisida yang terbentuk, rintangan kepingan lapisan titanium silisida dan hubungan rintangan kepingan terhadap fasa-fasa yang hadir pada sesuatu suhu dengan mikrostrukturnya. Lapisan titanium silisida dibentuk dengan kaedah pemercikan magnetron dan diikuti oleh dua peringkat proses sepuhlindapan dalam julat suhu 400-1100 o C selama 10 minit. Tiga pencirian dibuat dalam penyelidikan ini iaitu, pembelauan sinar-X (XRD) untuk mengesan fasa-fasa yang hadir, mikroskop imbasan elektron (SEM) untuk memerhatikan mikrostruktur lapisan silisida dan penduga empat titik bagi mengukur rintangan kepingan lapisan silisida yang terbentuk pada pelbagai suhu sepuhlindapan. Keputusan yang diharapkan, iaitu pembentukan TiSi2 tidak dicapai dalam kajian ini disebabkan pengaruh oksigen. Secara umumnya, ketebalan silisida bertambah, rintangan kepingannya berkurang dan saiz butirannya bertambah apabila suhu sepuhlindap bertambah. Titanium silisida dengan fasa-fasa yang berbeza terbentuk pada suhu-suhu yang berbeza. Selain daripada fasa-fasa titanium silisida seperti TiSi, Ti5Si3 dan TiSi2 yang terbentuk pada suhu-suhu yang berbeza di antara julat 400-800 o C, fasa-fasa oksida titanium turut hadir bersamanya.