Investigation On The Dc Characteristics Of The Resonant Tunneling Diode Through Empirical Modelling
DBRTD merupakan satu elektronik peranti dua-terminal yang mengaplikasi kuantum mekanik. Operasi kerjanya adalah menerowong electron melalui satu halangan peranti pada satu peringkat tenaga dalam keadaan resonant. Dalam konteks kuantum mekanik, partikel bertingkah laku dalam bentuk gelombang. Dalam k...
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Monograph |
| Language: | English |
| Published: |
Universiti Sains Malaysia
2017
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://eprints.usm.my/53072/ http://eprints.usm.my/53072/1/Investigation%20On%20The%20Dc%20Characteristics%20Of%20The%20Resonant%20Tunneling%20Diode%20Through%20Empirical%20Modelling_Tan%20Ker%20Lee_E3_2017.pdf |
| _version_ | 1848882424488919040 |
|---|---|
| author | Tan, Ker Lee |
| author_facet | Tan, Ker Lee |
| author_sort | Tan, Ker Lee |
| building | USM Institutional Repository |
| collection | Online Access |
| description | DBRTD merupakan satu elektronik peranti dua-terminal yang mengaplikasi kuantum mekanik. Operasi kerjanya adalah menerowong electron melalui satu halangan peranti pada satu peringkat tenaga dalam keadaan resonant. Dalam konteks kuantum mekanik, partikel bertingkah laku dalam bentuk gelombang. Dalam kerja penyelidikan ini, prinsip operasi, teori, struktur parameter serta ciri-ciri I-V khusunya dalam bidang perbezaan rintangan negatif perlu dikaji melalui model empirical dengan penyesuaian lengkungan menggunakan alat simulasi MATLAB dan penyamaan fizik. Keistimewaan RTD dalam menyampaikan hubungan arus-tegangan dalam bidang NDR yang menentangi sifat Ohm’s law kerana hubungan tersebut adalah berbanding terbalik dalam lengkungan simulasi. Walaubagaimanapun, ciri-ciri khas ini membolehkan keupayaannya untuk menjana frekuensi kelajuan yang tinggi sehingga Terahertz. Bagi model empirical, dimensi fizikal peranti boleh dikenalpasti selepas parameter yang tidak diketahui ditentukan melalui penyesuaian lengkungan I-V dalam simulasi MATLAB. Singkatnya, kajian ini menumpukan kepada dua struktur peranti utama, iaitu GaAs/AlAs yang melabelkan XMBE#66, dan InGaAs/AlAs yang melabelkan XMBE#230. GaAs/AlAs dimodelkan kepadatan puncak arus 16290 A/cm2, voltage puncak 0.315 V, lembah ketumpatan arus 4294 A/cm2, dan lembah voltan 0.422 V. InGaAs/AlAs dimodelkan kepadatan puncak arus 39820 A/cm2, voltan puncak 0.305V, lembah ketumpatan arus 4447 A/cm2, dan lembah voltan 0.685 V. Pendek kata, peranti InGaAs/AlAs akan dapat memberikan prestasi yang lebih baik daripada GaAs/AlAs dengan PVCR yang lebih tinggi sebanyak 8954, manakala PVCR GaAs/AlAs lebih rendah sebanyak 3794. Pembangunan potensi DBRTD akan manjadi sebaiknya dengan teknologi akhir tinggi masa depan dan elektronik aplikasi berkelajuan tinggi menggantikan diod konvensional arus. |
| first_indexed | 2025-11-15T18:34:42Z |
| format | Monograph |
| id | usm-53072 |
| institution | Universiti Sains Malaysia |
| institution_category | Local University |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-15T18:34:42Z |
| publishDate | 2017 |
| publisher | Universiti Sains Malaysia |
| recordtype | eprints |
| repository_type | Digital Repository |
| spelling | usm-530722022-06-25T08:10:41Z http://eprints.usm.my/53072/ Investigation On The Dc Characteristics Of The Resonant Tunneling Diode Through Empirical Modelling Tan, Ker Lee T Technology TK Electrical Engineering. Electronics. Nuclear Engineering DBRTD merupakan satu elektronik peranti dua-terminal yang mengaplikasi kuantum mekanik. Operasi kerjanya adalah menerowong electron melalui satu halangan peranti pada satu peringkat tenaga dalam keadaan resonant. Dalam konteks kuantum mekanik, partikel bertingkah laku dalam bentuk gelombang. Dalam kerja penyelidikan ini, prinsip operasi, teori, struktur parameter serta ciri-ciri I-V khusunya dalam bidang perbezaan rintangan negatif perlu dikaji melalui model empirical dengan penyesuaian lengkungan menggunakan alat simulasi MATLAB dan penyamaan fizik. Keistimewaan RTD dalam menyampaikan hubungan arus-tegangan dalam bidang NDR yang menentangi sifat Ohm’s law kerana hubungan tersebut adalah berbanding terbalik dalam lengkungan simulasi. Walaubagaimanapun, ciri-ciri khas ini membolehkan keupayaannya untuk menjana frekuensi kelajuan yang tinggi sehingga Terahertz. Bagi model empirical, dimensi fizikal peranti boleh dikenalpasti selepas parameter yang tidak diketahui ditentukan melalui penyesuaian lengkungan I-V dalam simulasi MATLAB. Singkatnya, kajian ini menumpukan kepada dua struktur peranti utama, iaitu GaAs/AlAs yang melabelkan XMBE#66, dan InGaAs/AlAs yang melabelkan XMBE#230. GaAs/AlAs dimodelkan kepadatan puncak arus 16290 A/cm2, voltage puncak 0.315 V, lembah ketumpatan arus 4294 A/cm2, dan lembah voltan 0.422 V. InGaAs/AlAs dimodelkan kepadatan puncak arus 39820 A/cm2, voltan puncak 0.305V, lembah ketumpatan arus 4447 A/cm2, dan lembah voltan 0.685 V. Pendek kata, peranti InGaAs/AlAs akan dapat memberikan prestasi yang lebih baik daripada GaAs/AlAs dengan PVCR yang lebih tinggi sebanyak 8954, manakala PVCR GaAs/AlAs lebih rendah sebanyak 3794. Pembangunan potensi DBRTD akan manjadi sebaiknya dengan teknologi akhir tinggi masa depan dan elektronik aplikasi berkelajuan tinggi menggantikan diod konvensional arus. Universiti Sains Malaysia 2017-06-01 Monograph NonPeerReviewed application/pdf en http://eprints.usm.my/53072/1/Investigation%20On%20The%20Dc%20Characteristics%20Of%20The%20Resonant%20Tunneling%20Diode%20Through%20Empirical%20Modelling_Tan%20Ker%20Lee_E3_2017.pdf Tan, Ker Lee (2017) Investigation On The Dc Characteristics Of The Resonant Tunneling Diode Through Empirical Modelling. Project Report. Universiti Sains Malaysia, Pusat Pengajian Kejuruteraan Elektrik & Elektronik. (Submitted) |
| spellingShingle | T Technology TK Electrical Engineering. Electronics. Nuclear Engineering Tan, Ker Lee Investigation On The Dc Characteristics Of The Resonant Tunneling Diode Through Empirical Modelling |
| title | Investigation On The Dc Characteristics Of The Resonant Tunneling Diode Through Empirical Modelling |
| title_full | Investigation On The Dc Characteristics Of The Resonant Tunneling Diode Through Empirical Modelling |
| title_fullStr | Investigation On The Dc Characteristics Of The Resonant Tunneling Diode Through Empirical Modelling |
| title_full_unstemmed | Investigation On The Dc Characteristics Of The Resonant Tunneling Diode Through Empirical Modelling |
| title_short | Investigation On The Dc Characteristics Of The Resonant Tunneling Diode Through Empirical Modelling |
| title_sort | investigation on the dc characteristics of the resonant tunneling diode through empirical modelling |
| topic | T Technology TK Electrical Engineering. Electronics. Nuclear Engineering |
| url | http://eprints.usm.my/53072/ http://eprints.usm.my/53072/1/Investigation%20On%20The%20Dc%20Characteristics%20Of%20The%20Resonant%20Tunneling%20Diode%20Through%20Empirical%20Modelling_Tan%20Ker%20Lee_E3_2017.pdf |