A Systematical Approach For A Robust Electrostatic Discharge (Esd) Design - Chuah , Cheow Theng (2016)
Dengan peningkatan kegagalan cip disebabkan ESD, reka bentuk IC untuk membangunkan aliran reka bentuk ESD yang komprehensif menggunakan pelbagai perisian automatik yang boleh mengesan secara berkesan kelemahan reka bentuk ESD lebih awal dalam fasa reka bentuk telah menjadi semakin penting. Kita perlu mendapatkan reka bentuk (reka bentuk ESD dalam konteks ini) yang tepat pada kali pertama. Aliran pengesahan reka bentuk ESD sedia ada adalah sama ada bergantung susun atur (pemeriksa peraturan reka bentuk susun atur), bergantung litar (simulasi litar) atau terlalu lewat untuk memintas masalah reka bentuk ESD. Satu cadangan aliran reka bentuk ESD ditunjukkan dengan beberapa idea reka bentuk ESD yang betul-masa-pembinaan. Satu metodologi reka bentuk dan strategi perlindungan ESD untuk sistem digital, teguh kepada peristiwa-peristiwa ESD, dibangunkan dan disahkan untuk teknologi MOS komersial 45nm, 65 nm dan 90 nm. Aliran reka bentuk ESD pada dasarnya mengambil berat tentang model tekanan ESD HBM, MM dan CDM. Aliran reka bentuk ESD yang dihasilkan menunjukkan pelbagai jenis kesilapan reka bentuk telah dapat dikesan dan mewajarkan keperluan untuk peningkatan strategi perlindungan ESD ini. Kita mempunyai pemeriksa aturan reka bentuk bentangan, simulasi litar, alat automatik letakan pengapit dan beberapa alatan lain dalam aliran reka bentuk ESD ini. Menggunakan teknik-teknik pengukuran, pemodelan dan simulasi, metodologi reka bentuk dan strategi perlindungan ESD telah berjaya diimplementasikan ke dalam aliran reka bentuk utama komersial. Cip-cip ujian tertentu, direkabentuk menggunakan aturan-aturan ESD konvensional yang disasarkan untuk perlindungan tekanan ESD, telah digunakan sebagai bahan-bahan ujian bagi metodologi baru ini. Perubahan reka bentuk ini menghasilkan cip yang melepasi aras-aras tekanan ESD ( piawaian industri HBM 2.5kV, MM 200V dan CDM 500V) dengan hampir tiada pindaan reka bentuk yang besar.