A 0.13-μm Cmos Reconfigurable Power Constrained Simultaneous Noise And Input Matching (Pcsnim) Low Noise Amplifier (Lna) For Multi-Standard 0.9, 1.8 And 2.1 Ghz Mobile Application - Hashim, Awatif (2016)
Industri komunikasi tanpa wayar sedang mengalami pertumbuhan yang luar biasa. Sebelum ini, penerima berbilang piawaian telah direka dalam seni bina yang selari untuk menampung berbilang piawai. Walaubagaimanapun, untuk setiap laluan, kawasan bentangan yang besar membuatkan kos fabrikasi meningkat. Sebagai tindakbalas terhadap permintaan untuk bahagian hadapan tanpa wayar yang berkos rendah dan berprestasi lebih tinggi, banyak kajian intensif pada CMOS frekuensi radio (RF ) litar bahagian hadapan telah dijalankan. Projek ini menggabungkan laluan-laluan selari tersebut kepada kaedah penerima tanpa wayar laluan tunggal. Matlamat utama adalah untuk meminimumkan “trade-off” atau mencapai keseimbangan antara prestasi tinggi, saiz yang lebih kecil dan kos rendah pada reka bentuk penggunaan kuasa yang rendah. Sasaran projek ini adalah untuk mereka bentuk penguat hingar rendah (LNA) berbilang piawaian bagi tiga piawai operasi jalur frekuensi. Bagi mendemonstrasi keberkesanan teknik, satu reka bentuk LNA laluan tunggal berbilang piawaian menggunakan konsep pensuisan telah dilaksanakan. Reka bentuk boleh memilih jalur frekuensi operasi dengan mengalihkan suis yang digunakan di rangkaian padanan masukan dan keluaran. Satu LNA berbilang piawaian dengan topologi Padanan Masukan dan Hingar Serentak dengan Kekangan Kuasa (PCSNIM) telah dilaksanakan bagi tujuan ini. LNA beroperasi pada frekuensi 0.9 , 1.8 dan 2.1 GHz. Oleh itu, reka bentuk piawai tanpa wayar adalah bagi aplikasi GSM900 , DCS1800 dan W-CDMA. Reka bentuk ini telah dilaksanakan pada proses CMOS 0.13-μm 8-lapisan logam. LNA berbilang piawaian mempamerkan nilai angka hingar (NF) serendah 1.72 dB pada 1.8 GHz dan 1.85 dB pada 2.1 GHz. Gandaan adalah dalam julat 10 ke 11 dB. Titik pintasan tertib ketiga (IIP3) adalah setinggi 0.2 dBm (pada 1.8 GHz), -1 dBm (pada 2.1 GHz) dan -2 dBm (pada 0.9 GHz). Manakala titik mampatan 1 dB pula adalah -12.2 dBm (pada 0.9 GHz), -11.5 dBm (pada 1.8 GHz) dan -11 dBm (pada 2.1 GHz). Jumlah penggunaan kuasa untuk reka bentuk ini adalah 7.42 mW dengan bekalan voltan sebanyak 1.2 V.