Effect Of Indium Doping On Structural, Optical And Electrical Properties Of Zinc Oxide Thin Films - Md Aznan, Nornani (2016)
Konduktif oksida lutsinar (TCO) seperti filem nipis zink oksida (ZnO) didopkan logam mempunyai aplikasi penting dalam peranti optoelektronik. Filem nipis ZnO didopkan logam mempunyai kelebihan kerana mereka boleh difabrikasikan dalam proses yang agak mudah dan menjimatkan. Walau bagaimanapun, ciri-ciri tersebut adalah sensitif kepada jumlah logam pendopan di dalam hos bahan zink oksida. Dalam kajian ini, kesan kandungan indium (In) dan juga suhu penyepuhlindapan pada sifat-sifat struktur, optik dan elektrik ZnO disiasat. Melalui percikan magnet frekuensi radio (RF) dari target ZnO / In2O3 tersinter dengan kandungan In berbeza di antara 1-7 wt. %, filem nipis indium zink oksida (IZO) telah berjaya ditumbuhkan ke atas substrat Si (100) dan substrat kaca yang telah dibersihkan secara ultrasonik. Filem nipis IZO telah ditumbuhkan dalam persekitaran argon pada suhu 150ºC dengan kuasa 100W. Selain daripada unsur-unsur zink (Zn) dan oksigen (O), spektrum tenaga serakan sinar-X (EDX) juga mengesan unsur In daripada filem nipis IZO, menunjukkan bahawa In telah berjaya diserapkan ke dalam hos bahan (ZnO). Mikroskop imbasan elektron (SEM) menunjukkan bahawa filem-filem nipis IZO mempunyai morfologi permukaan yang berterusan tanpa kehadiran zarah-zarah asing. Filem nipis ZnO tanpa dop juga difabrikasikan melalui kondisi percikan yang sama untuk perbandingan. Analisis pembelauan sinar-X (XRD) menunjukkan bahawa filem nipis mempunyai kecenderungan orientasi di sepanjang satah (002).