Synthesis Of Inn, Gan And Ingan Nanoparticles By A Chemical Method At Low Temperature For Solar Cell Applications - Hassan Qa’eed, Motahher Abdallah (2016)
Kajian ini mengkaji sintesis partikel nano InN, GaN, dan InGaN (NPs) dengan kaedah kimia pada suhu rendah bagi diaplikasikan dalam sel solar. Bagi menjalankan kajian ini, para pengkaji telah menggunakan beberapa konsep teori dan persamaan yang relevan. Proses yang dilaksanakan, termasuklah tindak balas bahan dalam penyejat berputar, pengacau bermagnet, pengemparan, dan proses salutan berputar untuk mendepositkan partikel nano bagi fabrikasi sel solar. Larutan Oleyamine (OAm) digunakan semasa tindakbalas sebagai bahan pelarut. HNO3 dan NH4OH digunakan sebagai sumber Nitrogen untuk mensintesis InN, GaN, dan InGaN (NPs). Dua jenis sel solar yang difabrikasi, iaitu: pertama, sel solar heterosimpang (n-InN/P-Si) dan (n-GaN/P-Si), yang menggunakan Si p (111) sebagai substrat, kedua, sel solar homosimpang (n-InGaN/p-InGaN) yang menggunakan Polyethylene terephthalate PET sebagai substrat. Sintesis InN/GaN/InGaN (NPs) dicirikan oleh Field Emission Scanning Electron Microscopy FESEM, Energy Dispersive X-ray Spectroscopy EDX, Transmission Electron Microscopy TEM, X-ray Diffraction XRD, Photo-Luminescence PL, Raman Spectroscopy, dan UV Spectroscopy, di mana sel solar yang difabrikasi dicirikan dengan menggunakan Keithely 2400 electrometer di bawah simulasi cahaya matahari pada 30 mW/cm2. Partikel nano InN, GaN, dan InGaN disintesis pada masa dan suhu yang berbeza, dan keputusan terbaik diperoleh pada (12jam) di mana suhu 90°C merupakan faktor utama dalam sintesis ini.