Effect Of Nanosecond Laser Dicing On Ultrathin Silicon Die With Copper Stabilization Layer - Marks, Michael Raj (2016)
Die ultra-nipis memerlukan satu lapisan kuprum (Cu) penstabilan di belakangnya untuk menghalang ledingan dan retakan semasa proses pengimpalan die serta penyambungan dawai. Pemotongan wafer silikon (Si) dengan lapisan Cu di belakangnya sangat mencabar. Pemotongan dengan bilah secara mekanikal akan mengakibatkan tersumbatnya bilah tersebut dan kerosakan akan dialami. Hasilannya, kerosakan die akan berlaku. Pemotongan menggunakan plasma berkos tinggi dan memerlukan proses tambahan seperti fotolitografi dan punaran. Pemotongan dengan laser mempuntai prospek yang baik dan sekarang ianya digunakan untuk memotong wafer Si yang nipis. Tetapi, tiada kajian yang melaporkan penggunaan teknik ini untuk memotong wafer ultra-nipis dengan lapis Cu dibelakang. Kajian ini menunjukkan kebolehan untuk menghasilkan wafer Si ultra-nipis setebal 20 μm dengan lapisan Cu depan setebal 5-20 μm dan belakang setebal 10-30 μm. Ketebalan lapisan logam dan Si berada dalam 10% sasaran proses. Tiada pengasingan di antaramuka dapat dikesan. Keupayaan pemotongan atas wafer Si ultra-nipis dengan 10-30 μm lapisan Cu di belakang dengan menggunakan laser nano-saat ultra-ungu telah dibuktikan. Kesan laser nano-saat ke atas kekuatan dinding tepi die telah dinilai berasaskan ujian bengkok tiga titik (3PB).