Growth And Characterizations Of Spin Coated Gallium Nitride Thin Films On Siliconsubstrates - Fong, Chee Yong (2016)
Galium nitrida (GaN) dengan jurang jalur langsung 3.4 eV telah menjadi tumpuan penyelidikan bahan. Ini adalah disebabkan oleh ciri-ciri dan kepentingan teknologinya untuk digunakan dalam pelbagai aplikasi seperti peranti optoelektronik dan peranti elektronik berkuasa tinggi. Pelbagai kaedah tradisional telah dibangunkan untuk mensintesis filem nipis GaN pada masa dahulu. Walau bagaimanapun, hanya terdapat beberapa kajian yang dilaporkan berkaitan dengan pertumbuhan filem nipis GaN dengan menggunakan kaedah salutan putaran sol-gel yang agak mudah dan lebih murah berbanding dengan kaedah yang dinyatakan sebelum ini. Oleh itu, objektif utama kajian ini adalah untuk menumbuhkan filem nipis GaN dengan kaedah salutan putaran sol-gel. Fasa awal projek ini melibatkan sintesis dan pencirian filem nipis GaN ditumbuh dengan menggunakan kaedah salutan putaran sol-gel tanpa diethanolamina (DEA).