Rf-Mbe Growth Of Iii-Nitrides Heterostructures For Light Detecting Applications - Mohd Yusoff, Mohd Zaki (2016)
Dalam penyelidikan ini, GaN p-n struktur homo, AlN/GaN struktur hetero, dan AlxGa1-xN/GaN struktur hetero telah berjaya ditumbuhkan di atas substrat silikon (Si) (111) menerusi epitaksi alur molekul plasma terbantu (MBE) untuk aplikasi pengesan foto. Galium (7N) dan aluminium (6N5) dengan ketulenan yang tinggi telah digunakan dalam sel Knudsen dan nitrogen (7N) berketulenan tinggi telah dibekalkan kepada frekuensi radio (RF) 13.56 MHz untuk menjana sumber spesis nitrogen reaktif. Nilai tekanan nitrogen dan kuasa pelepasan masing-masing ditetapkan malar pada 1.5x10-5 Torr dan 300 W sepanjang projek ini. Morfologi permukaan, sifat-sifat struktur dan optik daripada semua sampel telah disiasat dengan menggunakan pantulan belauan elektron bertenaga tinggi (RHEED), mikroskop imbasan elektron (SEM), mikroskop imbasan electron pancaran medan (FESEM), mikroskop electron transmisi (TEM), mikroskop daya atom (AFM), belauan sinar-X beresolusi tinggi (XRD-HR), fotoluminesen (PL), dan spektroskopi Raman, masing-masing.