Growth And Characterization Of Gallium Nitride Films On Porous Silicon Substrate - Samsudin, Muhammad Esmed Alif (2016)
Kajian ini memfokuskan penumbuhan lapisan gallium nitrida (GaN) ke atas substrat silikon (Si) berliang melalui kaedah percikan frekuensi radio (RF sputtering) dan penyejat alur elektron (e-beam evaporator). Untuk perbandingan, lapisan penampan nitrida aluminium nitrida (AlN), lapisan penampan titanium nitrida (TiN) dan substrat Si telah digunakan untuk penumbuhan lapisan GaN. Substrat Si berliang telah disiapkan melalui kaedah punaran elektokimia dengan menggunakan parameter yang berbeza. Didapati bahawa keliangan Si ini boleh dipengaruhi oleh jenis elektolit (larutan), masa punaran dan ketumpatan arus. Hasil daripada pemerhatian, larutan dimethylformamide (DMF) dengan tempoh punaran 30 minit pada 10 mA/cm2 ketumpatan arus dapat menghasilkan struktur keliangan Si yang paling optimum. Seterusnya, lapisan GaN telah ditumbuhkan pada Si berliang, lapisan penampan nitrida dan substrat Si melalui percikan frekuensi radio dan penyejat alur elektron.