Transparent Conductive Electrodes For Gan-Based Light Emitting Device - Ali, Ahmad Hadi (2016)
Sesentuh elektrik yang berkeupayaan sebagai pengalir arus elektrik yang tinggi dan lutsinar optik yang baik dalam panjang gelombang cahaya nampak adalah sangat penting untuk kecekapan peranti optoelektronik. Kajian ini difokuskan ke atas elektrod pengalir lutsinar (TCE) yang dimendapkan ke atas templat berasaskan GaN untuk aplikasi struktur diod pemancar cahaya (LED) InGaN. Templat GaN jenis-p dan jenis-n digunakan sebagai templat pemendapan untuk tujuan pengoptimuman TCE. Indium tin oksida (ITO) digunakan sebagai sesentuh lapisan atas kerana ITO menawarkan kerintangan arus elektrik yang rendah (~10-4 – 10-3 -cm), lutsinar optik dalam panjang gelombang cahaya nampak yang tinggi (> 80 %), mempunyai kepekatan pembawa yang tinggi (~1021 cm-3) dan kelincahan pembawa yang baik. Untuk memperbaiki kerintangan arus elektrik lapisan ITO, lapisan-bawah logam tipis dimendapkan di antara lapisan ITO di atas dan templat GaN. Bagi templat p-GaN, lapisan-bawah Ni dan Ag dimendapkan di bawah lapisan ITO, manakala bagi templat n-GaN, lapisan-bawah logam tipis Ti dan Al digunakan. Sampel-sampel TCE dikenakan proses sepuh lindap untuk memperbaiki ciri-ciri struktur TCE yang seterusnya akan memperbaiki ciri-ciri elektrik dan optik TCE. Daripada proses pengoptimuman, keadaan sepuh lindap yang terbaik untuk TCE adalah pada suhu 600C di bawah aliran gas N2 2 L/min dengan tempoh sepuh lindap selama 15 min.