Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza

Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects, Schottky barriers

Bibliographic Details
Main Author: Abdul Hamid, Noorhisyam
Format: Thesis
Language:English
Published: 2005
Subjects:
Online Access:http://eprints.usm.my/29184/
http://eprints.usm.my/29184/1/Pembentukan_dan_pencirian_kobalt_silisida_atas_wafer_silikon_%28111%29_pada_suhu_substrat_dan_sepuh_lindap_yang_berbeza-beza.pdf
_version_ 1848876045259767808
author Abdul Hamid, Noorhisyam
author_facet Abdul Hamid, Noorhisyam
author_sort Abdul Hamid, Noorhisyam
building USM Institutional Repository
collection Online Access
description Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects, Schottky barriers
first_indexed 2025-11-15T16:53:18Z
format Thesis
id usm-29184
institution Universiti Sains Malaysia
institution_category Local University
language English
last_indexed 2025-11-15T16:53:18Z
publishDate 2005
recordtype eprints
repository_type Digital Repository
spelling usm-291842017-04-12T03:23:19Z http://eprints.usm.my/29184/ Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza Abdul Hamid, Noorhisyam Q Science (General) Silisida logam pada masa sekarang telah digunakan secara meluas dalam litar bersepadu berskala besar sebagai penghubung, sawar Schottky Metal silicides are extensively used in very large scale integrated circuit device processing as interconnects, Schottky barriers 2005-02 Thesis NonPeerReviewed application/pdf en http://eprints.usm.my/29184/1/Pembentukan_dan_pencirian_kobalt_silisida_atas_wafer_silikon_%28111%29_pada_suhu_substrat_dan_sepuh_lindap_yang_berbeza-beza.pdf Abdul Hamid, Noorhisyam (2005) Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza. Masters thesis, USM.
spellingShingle Q Science (General)
Abdul Hamid, Noorhisyam
Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza
title Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza
title_full Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza
title_fullStr Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza
title_full_unstemmed Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza
title_short Pembentukan Dan Pencirian Kobalt Silisida Atas Wafer Silikon (111) Pada Suhu Substrat Dan Sepuh Lindap Yang Berbeza-Beza
title_sort pembentukan dan pencirian kobalt silisida atas wafer silikon (111) pada suhu substrat dan sepuh lindap yang berbeza-beza
topic Q Science (General)
url http://eprints.usm.my/29184/
http://eprints.usm.my/29184/1/Pembentukan_dan_pencirian_kobalt_silisida_atas_wafer_silikon_%28111%29_pada_suhu_substrat_dan_sepuh_lindap_yang_berbeza-beza.pdf