Development Of N-Type Spin-On Dopant For Silicon Devices - Ahmad Kamil, Suraya (2009)
In this research, works are focused on the preparation of n-type spin-on dopant (SOD) using sol-gel technology. The main aim of this research is to prepare n-type SOD with doping concentration in the range of 1016 to 1020 cm-3. Di dalam penyelidikan ini, kerja-kerja lebih difokuskan kepada penyediaan pendopan putaran jenis n (SOD) menggunakan teknologi sol-gel. Tujuan utama penyelidikan ini adalah untuk menyediakan SOD dengan kepekatan pendopan di antara 1016 kepada 1020 sm-3.