PA-MBE GaN-Based Optoelectronics on Silicon Substrates - Chuah , Lee Siang (2009)
Dalam penyelidikan ini, epitaksi alur molekul berbantukan plasma nitrogen frekuensi radio (RF) digunakan untuk menumbuhkan bahan galium nitrid (GaN) di atas substrat Si(111) dengan penggunaan aluminium nitrid (AlN) yang ditumbuhkan pada suhu tinggi sebagai lapisan penimbal.