Penggabungan Ti3C2Tx dalam matriks poli (metil metakrilat) untuk aplikasi memori tidak meruap
MXenes telah menunjukkan aplikasi yang berpotensi besar dalam peranti elektronik baharu kerana sifat permukaan yang unik dan struktur 2D, terutamanya dalam storan memori yang popular. Dalam kajian ini, keupayaan 2D Ti3C2 Tx diterokai untuk aplikasi memori tidak meruap (NVM). Kaedah pemprosesan larut...
| Main Authors: | , , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia
2024
|
| Online Access: | http://journalarticle.ukm.my/25230/ http://journalarticle.ukm.my/25230/1/kejut_9.pdf |
| _version_ | 1848816303086764032 |
|---|---|
| author | Rahmat Zaki Auliya, Mohsen Ahmadipour, Dee, Chang Fu Ooi, Poh Choon |
| author_facet | Rahmat Zaki Auliya, Mohsen Ahmadipour, Dee, Chang Fu Ooi, Poh Choon |
| author_sort | Rahmat Zaki Auliya, |
| building | UKM Institutional Repository |
| collection | Online Access |
| description | MXenes telah menunjukkan aplikasi yang berpotensi besar dalam peranti elektronik baharu kerana sifat permukaan yang unik dan struktur 2D, terutamanya dalam storan memori yang popular. Dalam kajian ini, keupayaan 2D Ti3C2 Tx diterokai untuk aplikasi memori tidak meruap (NVM). Kaedah pemprosesan larutan yang mudah telah digunakan untuk memfabrikasi peranti pensuisan dwistabil dua terminal. Struktur wayar nano perak/ komposit nano/indium-tin-oksida telah dimendapan pada substrat poli etilena tereftalat dengan menggunakan
kaedah-kaedah salutan spin dan salutan semburan. Serpihan Ti3C2 Tx MXene telah dicampurkan dengan polimer poli (metil-metakrilat) (PMMA) untuk membentuk komposit nano dan bertindak sebagai lapisan perangkap cas. Sementara itu, PMMA bertindak sebagai lapisan penebat. Data voltan dan arus yang diukur menunjukkan ciri-ciri arus dwistabil dengan kehadiran tetingkap memori. Peranti NVM yang difabrikasi boleh diprogram semula ketika ujian ketahanan dilakukan dan mampu mencapai kestabilan sehingga 1 × 104 s kitaran dengan nisbah ‘Buka/ Tutup’ setinggi 103 . Kaedah penyesuaian lengkung menggunakan plot log berganda data arus voltan (I-V) telah
digunalan untuk mengenalpasti mekanisme-mekanisme konduksi. Berdasarkan ciri-ciri I-V yang diperolehi, pelbagai mekanisme konduksi, seperti mekanisme pancaran Schottky dan Poole-Frenkel, arus terhad cas terperangkap dan arus terhad cas ruang yang menyebabkan sifat-sifat pensuisan dwistabil telah dicadangkan. Dengan itu, keputusan kajian ini menyediakan asas eksperimen untuk MXene dalam applikasi memori tidak meruap. |
| first_indexed | 2025-11-15T01:03:43Z |
| format | Article |
| id | oai:generic.eprints.org:25230 |
| institution | Universiti Kebangasaan Malaysia |
| institution_category | Local University |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-15T01:03:43Z |
| publishDate | 2024 |
| publisher | Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia |
| recordtype | eprints |
| repository_type | Digital Repository |
| spelling | oai:generic.eprints.org:252302025-05-21T09:26:32Z http://journalarticle.ukm.my/25230/ Penggabungan Ti3C2Tx dalam matriks poli (metil metakrilat) untuk aplikasi memori tidak meruap Rahmat Zaki Auliya, Mohsen Ahmadipour, Dee, Chang Fu Ooi, Poh Choon MXenes telah menunjukkan aplikasi yang berpotensi besar dalam peranti elektronik baharu kerana sifat permukaan yang unik dan struktur 2D, terutamanya dalam storan memori yang popular. Dalam kajian ini, keupayaan 2D Ti3C2 Tx diterokai untuk aplikasi memori tidak meruap (NVM). Kaedah pemprosesan larutan yang mudah telah digunakan untuk memfabrikasi peranti pensuisan dwistabil dua terminal. Struktur wayar nano perak/ komposit nano/indium-tin-oksida telah dimendapan pada substrat poli etilena tereftalat dengan menggunakan kaedah-kaedah salutan spin dan salutan semburan. Serpihan Ti3C2 Tx MXene telah dicampurkan dengan polimer poli (metil-metakrilat) (PMMA) untuk membentuk komposit nano dan bertindak sebagai lapisan perangkap cas. Sementara itu, PMMA bertindak sebagai lapisan penebat. Data voltan dan arus yang diukur menunjukkan ciri-ciri arus dwistabil dengan kehadiran tetingkap memori. Peranti NVM yang difabrikasi boleh diprogram semula ketika ujian ketahanan dilakukan dan mampu mencapai kestabilan sehingga 1 × 104 s kitaran dengan nisbah ‘Buka/ Tutup’ setinggi 103 . Kaedah penyesuaian lengkung menggunakan plot log berganda data arus voltan (I-V) telah digunalan untuk mengenalpasti mekanisme-mekanisme konduksi. Berdasarkan ciri-ciri I-V yang diperolehi, pelbagai mekanisme konduksi, seperti mekanisme pancaran Schottky dan Poole-Frenkel, arus terhad cas terperangkap dan arus terhad cas ruang yang menyebabkan sifat-sifat pensuisan dwistabil telah dicadangkan. Dengan itu, keputusan kajian ini menyediakan asas eksperimen untuk MXene dalam applikasi memori tidak meruap. Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia 2024 Article PeerReviewed application/pdf en http://journalarticle.ukm.my/25230/1/kejut_9.pdf Rahmat Zaki Auliya, and Mohsen Ahmadipour, and Dee, Chang Fu and Ooi, Poh Choon (2024) Penggabungan Ti3C2Tx dalam matriks poli (metil metakrilat) untuk aplikasi memori tidak meruap. Jurnal Kejuruteraan, 36 (2). pp. 481-486. ISSN 0128-0198 https://www.ukm.my/jkukm/volume-3602-2024/ |
| spellingShingle | Rahmat Zaki Auliya, Mohsen Ahmadipour, Dee, Chang Fu Ooi, Poh Choon Penggabungan Ti3C2Tx dalam matriks poli (metil metakrilat) untuk aplikasi memori tidak meruap |
| title | Penggabungan Ti3C2Tx dalam matriks poli (metil metakrilat) untuk aplikasi memori tidak meruap |
| title_full | Penggabungan Ti3C2Tx dalam matriks poli (metil metakrilat) untuk aplikasi memori tidak meruap |
| title_fullStr | Penggabungan Ti3C2Tx dalam matriks poli (metil metakrilat) untuk aplikasi memori tidak meruap |
| title_full_unstemmed | Penggabungan Ti3C2Tx dalam matriks poli (metil metakrilat) untuk aplikasi memori tidak meruap |
| title_short | Penggabungan Ti3C2Tx dalam matriks poli (metil metakrilat) untuk aplikasi memori tidak meruap |
| title_sort | penggabungan ti3c2tx dalam matriks poli (metil metakrilat) untuk aplikasi memori tidak meruap |
| url | http://journalarticle.ukm.my/25230/ http://journalarticle.ukm.my/25230/ http://journalarticle.ukm.my/25230/1/kejut_9.pdf |