Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N
Kajian ini membincangkan tentang kesan panjang rantai karbon pada asid alkil fosfonik ekalapis pengumpulan kendiri terhadap prestasi transistor organik filem nipis saluran-n terbentuk berdasarkan N,N’-ditridekil-3,4,9,10-perilenadikarboximide (PTCDI-C13). Prestasi transistor organik filem nipis ters...
| Main Authors: | , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia
2019
|
| Online Access: | http://journalarticle.ukm.my/13723/ http://journalarticle.ukm.my/13723/1/18%20Mohd%20Zulhakimi%20Abdul%20Razak.pdf |
| _version_ | 1848813356813647872 |
|---|---|
| author | Mohd Zulhakimi Abdul Razak, Mohd Farhanulhakim Mohd Razip Wee, Muhamad Ramdzan Buyong, Sawal Hamid Md Ali, Teh, Chin Hoong Jumadi Abdul Sukor, Ahmad Ghadafi Ismail, |
| author_facet | Mohd Zulhakimi Abdul Razak, Mohd Farhanulhakim Mohd Razip Wee, Muhamad Ramdzan Buyong, Sawal Hamid Md Ali, Teh, Chin Hoong Jumadi Abdul Sukor, Ahmad Ghadafi Ismail, |
| author_sort | Mohd Zulhakimi Abdul Razak, |
| building | UKM Institutional Repository |
| collection | Online Access |
| description | Kajian ini membincangkan tentang kesan panjang rantai karbon pada asid alkil fosfonik ekalapis pengumpulan kendiri terhadap prestasi transistor organik filem nipis saluran-n terbentuk berdasarkan N,N’-ditridekil-3,4,9,10-perilenadikarboximide (PTCDI-C13). Prestasi transistor organik filem nipis tersebut meningkat dengan peningkatan panjang rantai ekalapis pengumpulan kendiri pada dielektrik SiO2. Magnitud mobiliti setinggi 0.3 cm2/Vs dan nisbah arus buka/tutup lebih tinggi daripada 105 telah dicapai. Transistor tersebut adalah calon terbaik untuk menyaingi transistor organik filem nipis pentacene saluran-p untuk menghasilkan litar semikonduktor logam pelengkap teroksida organik (O-CMOS). Prestasi peranti ini tidak bergantung terhadap panjang rantaian alkil apabila diuji di dalam udara ambien. |
| first_indexed | 2025-11-15T00:16:54Z |
| format | Article |
| id | oai:generic.eprints.org:13723 |
| institution | Universiti Kebangasaan Malaysia |
| institution_category | Local University |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-15T00:16:54Z |
| publishDate | 2019 |
| publisher | Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia |
| recordtype | eprints |
| repository_type | Digital Repository |
| spelling | oai:generic.eprints.org:137232019-11-29T09:07:46Z http://journalarticle.ukm.my/13723/ Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N Mohd Zulhakimi Abdul Razak, Mohd Farhanulhakim Mohd Razip Wee, Muhamad Ramdzan Buyong, Sawal Hamid Md Ali, Teh, Chin Hoong Jumadi Abdul Sukor, Ahmad Ghadafi Ismail, Kajian ini membincangkan tentang kesan panjang rantai karbon pada asid alkil fosfonik ekalapis pengumpulan kendiri terhadap prestasi transistor organik filem nipis saluran-n terbentuk berdasarkan N,N’-ditridekil-3,4,9,10-perilenadikarboximide (PTCDI-C13). Prestasi transistor organik filem nipis tersebut meningkat dengan peningkatan panjang rantai ekalapis pengumpulan kendiri pada dielektrik SiO2. Magnitud mobiliti setinggi 0.3 cm2/Vs dan nisbah arus buka/tutup lebih tinggi daripada 105 telah dicapai. Transistor tersebut adalah calon terbaik untuk menyaingi transistor organik filem nipis pentacene saluran-p untuk menghasilkan litar semikonduktor logam pelengkap teroksida organik (O-CMOS). Prestasi peranti ini tidak bergantung terhadap panjang rantaian alkil apabila diuji di dalam udara ambien. Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia 2019-06 Article PeerReviewed application/pdf en http://journalarticle.ukm.my/13723/1/18%20Mohd%20Zulhakimi%20Abdul%20Razak.pdf Mohd Zulhakimi Abdul Razak, and Mohd Farhanulhakim Mohd Razip Wee, and Muhamad Ramdzan Buyong, and Sawal Hamid Md Ali, and Teh, Chin Hoong and Jumadi Abdul Sukor, and Ahmad Ghadafi Ismail, (2019) Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N. Sains Malaysiana, 48 (6). pp. 1295-1300. ISSN 0126-6039 http://www.ukm.my/jsm/malay_journals/jilid48bil6_2019/KandunganJilid48Bil6_2019.html |
| spellingShingle | Mohd Zulhakimi Abdul Razak, Mohd Farhanulhakim Mohd Razip Wee, Muhamad Ramdzan Buyong, Sawal Hamid Md Ali, Teh, Chin Hoong Jumadi Abdul Sukor, Ahmad Ghadafi Ismail, Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N |
| title | Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N |
| title_full | Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N |
| title_fullStr | Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N |
| title_full_unstemmed | Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N |
| title_short | Kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-N |
| title_sort | kesan sistematik modifikasi dielektrik dengan asid fosfonik alkil ekalapisan terhadap prestasi transistor filem nipis organik saluran-n |
| url | http://journalarticle.ukm.my/13723/ http://journalarticle.ukm.my/13723/ http://journalarticle.ukm.my/13723/1/18%20Mohd%20Zulhakimi%20Abdul%20Razak.pdf |