Pencirian pertumbuhan lapisan nano grafin di atas elektrod antara digit superkapasitor MEMS

Superkapasitor MEMS khususnya dengan reka bentuk elektrod antara digit (IDE), telah menarik minat pada masa kini dalam bidang seperti bioMEMS, bioperubatan implan, peranti kuasa elektronik dan aplikasi berkuasa tinggi disebabkan kapasiti pengecasannya yang tinggi. Kajian ini membentangkan superkapas...

Full description

Bibliographic Details
Main Authors:	Hafzaliza Erny Zainal Abidin, Azrul Azlan Hamzah, Burhanuddin Yeop Majlis
Format:	Article
Language:	English
Published:	Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia 2017
Online Access:	http://journalarticle.ukm.my/11122/ http://journalarticle.ukm.my/11122/1/07%20Hafzalia.pdf

_version_	1848812618736730112
author	Hafzaliza Erny Zainal Abidin, Azrul Azlan Hamzah, Burhanuddin Yeop Majlis,
author_facet	Hafzaliza Erny Zainal Abidin, Azrul Azlan Hamzah, Burhanuddin Yeop Majlis,
author_sort	Hafzaliza Erny Zainal Abidin,
building	UKM Institutional Repository
collection	Online Access
description	Superkapasitor MEMS khususnya dengan reka bentuk elektrod antara digit (IDE), telah menarik minat pada masa kini dalam bidang seperti bioMEMS, bioperubatan implan, peranti kuasa elektronik dan aplikasi berkuasa tinggi disebabkan kapasiti pengecasannya yang tinggi. Kajian ini membentangkan superkapasitor MEMS dengan lapisan nano grafin tumbuh di atas elektrod. Superkapasitor MEMS terdiri daripada silikon dioksida (SiO2), nikel, grafin, polipirol (Ppy) dan lapisan alkohol polivinil (PVA). Tumpuan diberikan kepada fabrikasi struktur lapisan nano grafin atas elektrod superkapasitor MEMS melalui beberapa proses seperti pemendapan wap kimia secara peningkatan plasma (PECVD), penyejatan alur e dan salutan pusing. Grafin tumbuh melalui proses PECVD selama 10 minit pada kuasa 40 Watt dan pada suhu antara 400°C dan 1000°C. Spektrum Raman menunjukkan puncak pada 1340 dan 1580 cm-1 mewakili jalur D dan G . Puncak 2D wujud dalam julat 2600 - 3000 cm-1. Nisbah bagi keamatan puncak 2D terhadap puncak G pada 1000°C adalah 0.43 menunjukkan kualiti yang baik bagi banyak lapisan grafin.
first_indexed	2025-11-15T00:05:10Z
format	Article
id	oai:generic.eprints.org:11122
institution	Universiti Kebangasaan Malaysia
institution_category	Local University
language	English
last_indexed	2025-11-15T00:05:10Z
publishDate	2017
publisher	Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia
recordtype	eprints
repository_type	Digital Repository
spelling	oai:generic.eprints.org:111222017-12-21T04:14:25Z http://journalarticle.ukm.my/11122/ Pencirian pertumbuhan lapisan nano grafin di atas elektrod antara digit superkapasitor MEMS Hafzaliza Erny Zainal Abidin, Azrul Azlan Hamzah, Burhanuddin Yeop Majlis, Superkapasitor MEMS khususnya dengan reka bentuk elektrod antara digit (IDE), telah menarik minat pada masa kini dalam bidang seperti bioMEMS, bioperubatan implan, peranti kuasa elektronik dan aplikasi berkuasa tinggi disebabkan kapasiti pengecasannya yang tinggi. Kajian ini membentangkan superkapasitor MEMS dengan lapisan nano grafin tumbuh di atas elektrod. Superkapasitor MEMS terdiri daripada silikon dioksida (SiO2), nikel, grafin, polipirol (Ppy) dan lapisan alkohol polivinil (PVA). Tumpuan diberikan kepada fabrikasi struktur lapisan nano grafin atas elektrod superkapasitor MEMS melalui beberapa proses seperti pemendapan wap kimia secara peningkatan plasma (PECVD), penyejatan alur e dan salutan pusing. Grafin tumbuh melalui proses PECVD selama 10 minit pada kuasa 40 Watt dan pada suhu antara 400°C dan 1000°C. Spektrum Raman menunjukkan puncak pada 1340 dan 1580 cm-1 mewakili jalur D dan G . Puncak 2D wujud dalam julat 2600 - 3000 cm-1. Nisbah bagi keamatan puncak 2D terhadap puncak G pada 1000°C adalah 0.43 menunjukkan kualiti yang baik bagi banyak lapisan grafin. Penerbit Universiti Kebangsaan Malaysia 2017-07 Article PeerReviewed application/pdf en http://journalarticle.ukm.my/11122/1/07%20Hafzalia.pdf Hafzaliza Erny Zainal Abidin, and Azrul Azlan Hamzah, and Burhanuddin Yeop Majlis, (2017) Pencirian pertumbuhan lapisan nano grafin di atas elektrod antara digit superkapasitor MEMS. Sains Malaysiana, 46 (7). pp. 1061-1067. ISSN 0126-6039 http://www.ukm.my/jsm/malay_journals/jilid46bil7_2017/KandunganJilid46Bil7_2017.html
spellingShingle	Hafzaliza Erny Zainal Abidin, Azrul Azlan Hamzah, Burhanuddin Yeop Majlis, Pencirian pertumbuhan lapisan nano grafin di atas elektrod antara digit superkapasitor MEMS
title	Pencirian pertumbuhan lapisan nano grafin di atas elektrod antara digit superkapasitor MEMS
title_full	Pencirian pertumbuhan lapisan nano grafin di atas elektrod antara digit superkapasitor MEMS
title_fullStr	Pencirian pertumbuhan lapisan nano grafin di atas elektrod antara digit superkapasitor MEMS
title_full_unstemmed	Pencirian pertumbuhan lapisan nano grafin di atas elektrod antara digit superkapasitor MEMS
title_short	Pencirian pertumbuhan lapisan nano grafin di atas elektrod antara digit superkapasitor MEMS
title_sort	pencirian pertumbuhan lapisan nano grafin di atas elektrod antara digit superkapasitor mems
url	http://journalarticle.ukm.my/11122/ http://journalarticle.ukm.my/11122/ http://journalarticle.ukm.my/11122/1/07%20Hafzalia.pdf

Pencirian pertumbuhan lapisan nano grafin di atas elektrod antara digit superkapasitor MEMS

Similar Items